设计优点
1、应用领域:轻掺、磁控;
2、在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行;
3、配置国际领先品牌磁场，中心场强可达4000GAUSS，磁场分布均匀，利于生长高品质半导体晶体。"/>

02-04-01

晶体生长炉 KX360MCZ

设计优点
1、应用领域:轻掺、磁控;
2、在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行;
3、配置国际领先品牌磁场，中心场强可达4000GAUSS，磁场分布均匀，利于生长高品质半导体晶体。
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晶体生长炉 KX360MCZ

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主要技术指标

1、型号:KX360MCZ;

2、炉室内径:Φ1400mm;

3、可拉晶体直径:最大12英寸;

4、可装热场尺寸:36英寸;

5、装料量:650kg。

设计优点

1、应用领域:轻掺、磁控;

2、在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行;

3、配置国际领先品牌磁场，中心场强可达4000GAUSS，磁场分布均匀，利于生长高品质半导体晶体。

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晶体生长炉 KX320-600

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